| 发明名称 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种提高外延晶体质量的外延生长方法，能有效提升LED外延的晶体质量。该外延生长方法包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；2)高温生长第一U-GaN层,生长厚度应保证第一U-GaN层未完全覆盖PSS图形，即有PSS尖部高出第一U-GaN层表面；3)在NH<sub>3</sub>环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二缓冲层；4)高温生长第二U-GaN层,生长厚度应保证第二U-GaN层完全覆盖PSS图形；5)依次生长掺杂SiH<sub>4</sub>的n-GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层，最后在氮气氛围下退火。 | ||
| 申请公布号 | CN104485399A | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
| 申请号 | CN201410720665.X | 申请日期 | 2014.12.01 |
| 申请人 | 西安神光皓瑞光电科技有限公司 | 发明人 | 商毅博 |
| 分类号 | H01L33/00(2010.01)I;C30B25/16(2006.01)I;C30B29/40(2006.01)I;H01L33/32(2010.01)I | 主分类号 | H01L33/00(2010.01)I |
| 代理机构 | 西安智邦专利商标代理有限公司 61211 | 代理人 | 胡乐 |
| 主权项 | 一种提高外延晶体质量的外延生长方法，包括以下步骤：1)以锥形PSS作为生长基底，低温生长第一缓冲层；2)高温生长第一U‑GaN层,生长厚度应保证第一U‑GaN层未完全覆盖PSS图形，即有PSS尖部高出第一U‑GaN层表面；3)在NH<sub>3</sub>环境中进行高温退火，然后降至低温，再生长第二缓冲层；4)高温生长第二U‑GaN层,生长厚度应保证第二U‑GaN层完全覆盖PSS图形；5)依次生长掺杂SiH<sub>4</sub>的n‑GaN层、多量子阱有源层、掺杂p型AlGaN阻挡层、掺杂p型GaN层，最后在氮气氛围下退火。 | ||
| 地址 | 710100 陕西省西安市航天基地东长安街888号 | ||