发明名称 | 使用非易失性磁性存储器的低电力电子系统架构 | ||
摘要 | 本发明提供一种计算系统,其包括至少一个功能单元及耦合到所述至少一个功能单元的磁性随机存取存储器(MRAM)块。所述MRAM块经配置以在所述至少一个功能单元的断电状态期间存储所述至少一个功能单元的功能状态。 | ||
申请公布号 | CN102160016B | 申请公布日期 | 2015.04.01 |
申请号 | CN200980137236.7 | 申请日期 | 2009.09.18 |
申请人 | 高通股份有限公司 | 发明人 | 马修·迈克尔·诺瓦克;刘·蔡-奥安;升·H·康 |
分类号 | G06F1/32(2006.01)I | 主分类号 | G06F1/32(2006.01)I |
代理机构 | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人 | 宋献涛 |
主权项 | 一种计算系统,其包含:一个内部区段;与所述内部区段耦合的外部区段;在所述内部区段内的至少一个功能单元;所述至少一个功能单元的内部区段内的磁阻随机存取存储器MRAM块,所述MRAM块经配置以在所述内部区段的待机状态期间存储所述至少一个功能单元的操作状态;以及在所述外部区段内的易失性存储器。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |