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<p>검사 방법은 기판 패턴의 프로필 파라미터의 값을 결정한다. 예컨대 CD(중간 크리티컬 디멘전), SWA(측벽 각도) 및 RH(레지스트 높이)와 같은 프로필 파라미터에 의해 묘사된 프로필을 갖는 베이스라인 패턴 타겟(BP)을 갖는 베이스라인 기판이 생산된다. 제1 타겟과 제2 타겟으로부터 제1 신호와 제2 신호를 획득하기 위해 산란측정이 이용된다. 베이스라인 퓨필과 변동된 퓨필 간의 차이를 기반으로 하는 베이지안 미분 비용 함수와 패턴 프로필 파라미터에 대한 퓨필의 의존성을 이용하여 미분 패턴 프로필 파라미터의 값이 계산된다. 예컨대, 리소그래피 공정의 안정성 제어를 위해 베이스라인 프로세스와 변동된 프로세스 간의 차이가 측정된다. 또한, 패턴 타겟과 동일한 기판 상의 스택 타겟의 관측으로부터 피드-포워드 미분 스택 파라미터가 계산된다.</p> |
