半導体装置、電力変換器および電力変換器の制御方法

摘要

本願に開示された半導体装置は、第１の金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ２００ａと、第１の金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタと並列に接続された第２の金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタ２００ｂとを備える半導体素子２００、及び半導体素子の動作を制御する制御部を備える半導体装置であって、制御部は、順方向モードにおいて、第１及び第２の金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタに、順方向に電流が流れるように、半導体素子を制御し、逆方向モードにおいて、第１の金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタに逆方向に電流が流れ、第２の金属−絶縁体−半導体電界効果トランジスタに電流が流れないように半導体素子を制御する。