| 发明名称 |
薄膜形成方法および薄膜形成装置ならびに被膜を形成した被処理物、金型および工具 |
| 摘要 |
<p>【課題】被処理物の所望部位に薄膜形成する手段を提供する。【解決手段】本発明に係る薄膜形成手段は、減圧容器内において、原料ガスに電力を供給して前記原料ガスをプラズマ化し、前記プラズマを照射して被処理物表面上に薄膜形成する薄膜形成方法である。ここで、薄膜を所望部位に形成するために磁界発生手段が発生する磁界の作用を利用する。磁界の作用は、前記プラズマのフラックスを前記被処理物表面の所望部位に収束させ、これによって所望部位に薄膜を形成することができる。【選択図】図１</p> |
| 申请公布号 |
JPWO2013042355(A1) |
申请公布日期 |
2015.03.26 |
| 申请号 |
JP20130534596 |
申请日期 |
2012.09.20 |
| 申请人 |
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发明人 |
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| 分类号 |
C23C14/54;C23C14/02;C23C14/34;C23C16/505 |
主分类号 |
C23C14/54 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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