一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构

摘要

本发明提出了一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构，其基本思想是采用InAsSb量子点，在理论上InAsSb量子点可以满足量子点的发射波长进入1.3µm和1.5µm通信波段。在预先刻蚀的“类似倒三棱锥体”图形衬底上制备高质量、高反射率的超晶格布拉格反射镜（DBR）层，这在一定程度上增加了量子点和起始生长界面的物理距离，同时，大大地增加了量子点发光的捕获效率，使发光效率大大提高。可实现高质量超低密度、位置可控，加之高反射率DBR层对量子点发光的有效收集，并以此为基础为制作通信波段用的量子点单光子发射器件打下基础。

主权项

一种用于通信波段的超低密度、位置可控三维微腔InAsSb量子点结构包括：n型GaAs图形衬底(1)；AlGaAs超晶格层(2)；InAsSb量子点(3) ；GaSb覆盖层(4)；衬底(1)为(111) B取向、Si掺杂浓度1‑2×10¹⁸cm^‑3的GaAs晶体材料；AlGaAs/GaAs层(2)，生长温度540℃，非故意掺杂，浓度为5×0¹⁷cm^‑3，AlGaAs生长50nm，GaAs生长30nm，共生长10个周期；InAsSb量子点(3)，生长温度540℃，采用p型掺杂，浓度为7×10¹⁷cm^‑3；覆盖层约为50nm的非均匀厚度的GaAs层(4)，生长温度540℃，非故意掺杂。