发明名称 补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法
摘要 本发明公开了一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置和方法。超辐射发光二极管的光源尾纤与半导体光放大器输入端相连,温度传感器探测超辐射发光二极管管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块,信号处理模块产生调整信号并将其输入到半导体光放大器的工作参数控制端,从而对半导体光放大器的驱动电流进行控制,对超辐射发光二极管平均波长的温度漂移进行补偿,改善其波长稳定性。本发明能满足应用中对超辐射发光二极管光源波长稳定性的要求,不需要温度控制等设备,结构简单。
申请公布号 CN104466673A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410548767.8 申请日期 2014.10.16
申请人 浙江大学 发明人 陈杏藩;何沛彤;汪樟海;刘承;舒晓武
分类号 H01S5/068(2006.01)I 主分类号 H01S5/068(2006.01)I
代理机构 杭州求是专利事务所有限公司 33200 代理人 林超
主权项 一种补偿超辐射发光二极管光源波长温度漂移的装置,其特征在于:包括超辐射发光二极管(1)、半导体光放大器(2)、温度传感器(3)、和信号处理模块(4);超辐射发光二极管(1)的光源尾纤与半导体光放大器(2)输入端相连,温度传感器(3)探测超辐射发光二极管(1)管芯的温度信号并将其输入到信号处理模块(4),信号处理模块(4)产生调整信号并将其输入到半导体光放大器(2)的工作参数控制端,从而对半导体光放大器(2)的驱动电流进行控制。
地址 310058 浙江省杭州市西湖区余杭塘路866号