| 发明名称 | 漏端隔离的高压LDMOS的结构及制作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种漏端隔离的高压LDMOS的结构，其N型漂移区和N型埋层之间有一层用于隔离漏端和N型埋层的P型区域，该P型区域与P阱相连。本发明还公开了上述结构的漏端隔离的高压LDMOS的制作方法，该方法在形成P阱后，生长栅氧前，通过高能量硼注入，在漂移区下方、N型埋层上方形成一层P型区域。本发明在常规LDMOS的制作工艺基础上，通过双深N阱扩散工艺，在漂移区下方注入一层P型区域，隔离漏端和N型埋层，使漏端对P型衬底形成N/P/N/P结构，从而使得LDMOS的漏端在有反向负载电压的情况下，和P型衬底隔离，避免了衬底漏电流的产生。 | ||
| 申请公布号 | CN104465779A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410835958.2 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 邢军军 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 漏端隔离的高压LDMOS的结构，其特征在于：N型漂移区和N型埋层之间有一层用于隔离漏端和N型埋层的P型区域，该P型区域与P阱相连。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||