发明名称 |
钕掺杂二氧化铅电极的制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种钕掺杂二氧化铅电极的制备方法,将钛基体经过打磨、刻蚀预处理后,通过热分解法在其表面镀有锡锑中间层,再经电沉积法电镀含钕氧化物的<i>β</i>-PbO<sub>2</sub>晶体活性层,制得钕掺杂二氧化铅电极。本发明通过钕的掺杂,改善了电极表面结构,提高了电极催化氧化性能和稳定性,提供的电极可有效降解有机物,处理效果好,电流效率高,成本低,具有很好的应用价值。 |
申请公布号 |
CN104451678A |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201410725919.7 |
申请日期 |
2014.12.04 |
申请人 |
南通农业职业技术学院 |
发明人 |
乔启成;陈泽宇;尹花 |
分类号 |
C23C28/04(2006.01)I;C23C20/08(2006.01)I;C25D11/26(2006.01)I;C02F1/461(2006.01)I |
主分类号 |
C23C28/04(2006.01)I |
代理机构 |
南京瑞弘专利商标事务所(普通合伙) 32249 |
代理人 |
徐激波 |
主权项 |
一种钕掺杂二氧化铅电极的制备方法,其特征在于:所述钕掺杂二氧化铅电极以钛为基体,钛基体经过打磨、刻蚀预处理后,在其表面依次镀有锡锑中间层和含钕氧化物的<i>β</i>‑PbO<sub>2</sub>晶体活性层;所述制备方法包括对钛基体表面进行喷砂打磨、草酸酸化刻蚀预处理,预处理后的基体表面通过刷涂热分解法制备锡锑氧化物中间层,然后在配制好的电镀液中采用电沉积的方法在中间层表面镀上含钕氧化物的<i>β</i>‑PbO<sub>2</sub>晶体活性层,从而制得所述的钕掺杂二氧化铅电极。 |
地址 |
226000 江苏省南通市青年东路148号 |