| 发明名称 | 一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列及其制备方法，由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10-20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20-30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构，采用对靶磁控溅射和原位生长的方法在基底上进行沉积、生长和热处理。本发明方法制备出形貌良好的氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列结构材料，显著的提高了材料的比表面积，有效的利用了异质结在性能方面的优异性。 | ||
| 申请公布号 | CN104445047A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410619764.9 | 申请日期 | 2014.11.05 |
| 申请人 | 天津大学 | 发明人 | 秦玉香;柳杨;谢威威;刘成;胡明 |
| 分类号 | B81B7/04(2006.01)I;B81C1/00(2006.01)I | 主分类号 | B81B7/04(2006.01)I |
| 代理机构 | 天津市北洋有限责任专利代理事务所 12201 | 代理人 | 张宏祥 |
| 主权项 | 一种氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列，其特征在于，氧化钨/氧化钒异质结纳米线阵列由氧化钨/氧化钒异质结纳米线组成，氧化钨/氧化钒异质结纳米线长度为300—800nm，所述氧化钨纳米线的直径为10‑20nm，在所述氧化钨纳米线的外围均匀地包裹氧化钒，所述氧化钒的厚度为20‑30nm，氧化钨和氧化钒形成了同轴核壳异质结构。 | ||
| 地址 | 300072 天津市南开区卫津路92号 | ||