LED芯片及其制作方法

摘要

本发明公开了一种LED芯片及其制作方法，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及位于N型半导体层上方的N电极和位于P型半导体层上方的P电极，所述衬底上方的N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层全部或部分刻蚀形成奈米柱，所述奈米柱上方倾斜设有氧化物奈米柱，氧化物奈米柱上方设有二维透明导电层，二维透明导电层串接所有氧化物奈米柱，所述P电极位于二维透明导电层上方。本发明简化了电极制作流程，只采用一次斜向沉积得到倾斜的氧化物奈米柱，再加上二维透明导电层，既可达到串接氧化物奈米柱的效果，又有透明出光的效果，其芯片结构简单且出光效率高，制作方便且成本低。

主权项

一种LED芯片，所述LED芯片包括衬底、N型半导体层、多量子阱发光层、P型半导体层、以及位于N型半导体层上方的N电极和位于P型半导体层上方的P电极，其特征在于，所述衬底上方的N型半导体层、多量子阱发光层和P型半导体层全部或部分刻蚀形成奈米柱，所述奈米柱上方倾斜设有氧化物奈米柱，氧化物奈米柱上方设有二维透明导电层，二维透明导电层串接所有氧化物奈米柱，所述P电极位于二维透明导电层上方。