发明名称 | 发光二极管及其制造方法以及发光二极管灯 | ||
摘要 | 本发明提供一种发光二极管,其在光取出面上具有两个电极,光取出效率高,为高辉度。本发明涉及的发光二极管(1),是具有含有发光层(10)的发光部(7)的化合物半导体层(2)和透明基板(3)相接合了的发光二极管,其特征在于,在化合物半导体层(2)的主要的光取出面(2a)侧设置有第1电极(4)和第2电极(5),透明基板(3)具有:与化合物半导体层(2)接合的上表面(3A);面积比上表面(3A)的面积小的底面(3B);和至少含有从上表面侧朝向底面侧倾斜的倾斜面(3b)的侧面,第1和第2电极(4)、(5)在俯视该发光二极管时配置在将底面(3B)投影了的区域内。 | ||
申请公布号 | CN102822999B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
申请号 | CN201180017382.3 | 申请日期 | 2011.02.02 |
申请人 | 昭和电工株式会社 | 发明人 | 锅仓亘;竹内良一 |
分类号 | H01L33/38(2006.01)I | 主分类号 | H01L33/38(2006.01)I |
代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 段承恩;杨光军 |
主权项 | 一种发光二极管,是具有发光部的化合物半导体层和透明基板接合了的发光二极管,所述发光部含有:组成式为(Al<sub>X</sub>Ga<sub>1‑X</sub>)<sub>Y</sub>In<sub>1‑Y</sub>P,其中0≤X≤1、0<Y≤1,组成式为Al<sub>X</sub>Ga<sub>1‑X</sub>As,其中0≤X≤1,或者组成式为In<sub>X</sub>Ga<sub>1‑X</sub>As,其中0≤X≤0.3的发光层,所述发光二极管的特征在于,在所述化合物半导体层的主要的光取出面侧,设置有第1电极、和极性与所述第1电极不同的第2电极,所述透明基板具有:与所述化合物半导体层接合的上表面;面积比所述上表面的面积小的底面;和至少含有从所述上表面侧朝向所述底面侧倾斜的倾斜面的侧面,所述第1和第2电极,在俯视该发光二极管时,配置在将所述底面投影了的区域内。 | ||
地址 | 日本东京都 |