| 发明名称 | 一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃-1100℃维持1-2小时，然后自然冷却；其中，所述重掺硼直拉硅片的硼掺杂浓度为7×10<sup>19</sup>-1.1×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>。本发明工艺简单，操作方便；能够快速、有效地减少甚至消除重掺硼直拉硅片中的原生位错，有效提高了重掺硼直拉硅片的质量；特别适用于硼掺杂浓度为7×10<sup>19</sup>-1.1×10<sup>20</sup>cm<sup>-3</sup>的重掺硼直拉硅片。 | ||
| 申请公布号 | CN102560684B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201210011355.1 | 申请日期 | 2012.01.13 |
| 申请人 | 浙江大学 | 发明人 | 马向阳;葛媛;赵建江;杨德仁 |
| 分类号 | C30B33/02(2006.01)I;C30B29/06(2006.01)I | 主分类号 | C30B33/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 | 代理人 | 胡红娟 |
| 主权项 | 一种减少重掺硼直拉硅片中原生位错的方法，包括：在纯度大于99.99％的氩气气氛下，将重掺硼直拉硅片置于1000℃‑1100℃维持1‑1.5小时，然后自然冷却；所述重掺硼直拉硅片的硼掺杂浓度为7×10<sup>19</sup>‑1.1×10<sup>20</sup>cm<sup>‑3</sup>。 | ||
| 地址 | 310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 | ||