| 发明名称 | 半导体装置及其制造方法及制造装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供半导体装置及其制造方法及制造装置。根据一实施例，公开了半导体装置的制造方法。该方法包含：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。 | ||
| 申请公布号 | CN102610566B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201210017248.X | 申请日期 | 2012.01.19 |
| 申请人 | 株式会社 东芝 | 发明人 | 黑泽哲也;田久真也;友野章 |
| 分类号 | H01L21/78(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市中咨律师事务所 11247 | 代理人 | 刘瑞东;陈海红 |
| 主权项 | 一种半导体装置的制造方法，包括：(a)在形成有半导体元件的半导体晶片的元件形成面形成切断沟的步骤；(b)在上述半导体晶片的元件形成面贴附保护带的步骤；(c)研削上述半导体晶片的背面，使上述半导体晶片薄化，并将上述半导体晶片分割为形成有半导体元件的多个半导体芯片的步骤；(d)在上述半导体晶片的背面形成粘接剂层的步骤；(e)通过加热在上述半导体晶片的背面形成的上述粘接剂层使其熔融或软化并向上述粘接剂层吹出高压空气，将上述粘接剂层按每个上述半导体芯片分离切断的步骤；以及(f)剥离上述保护带的步骤。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||