| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明涉及具备在半导体基板上排列光电转换元件形成的图像传感器的半导体装置，其目的在于，防止半导体装置中相邻光电转换元件之间发生光电荷混同，实现结构细微化。在本发明的半导体装置中，半导体基板(101)上排列包含PN光电转换元件(119)以及三极管(121)在内的像素(103)，形成图像传感器，其中，相邻PN光电转换元件(119)周围的半导体基板(101)上形成沟槽(123)，在接触该沟槽(123)底部的半导体基板(101)上形成杂质扩散层(129)。 | ||
| 申请公布号 | CN104465683A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410464691.0 | 申请日期 | 2014.09.12 |
| 申请人 | 株式会社理光 | 发明人 | 樱野胜之;渡边博文;根来宝昭;爱须克彦;米田和洋 |
| 分类号 | H01L27/146(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/146(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 张祥 |
| 主权项 | 一种半导体装置，其中具备在半导体基板上排列光电转换元件构成的图像传感器，其特征在于，具备在所述半导体基板上相邻所述光电转换元件之间的位置上形成的沟槽、以及设于该沟槽底部的杂质扩散层，所述杂质扩散层被设置在比所述光电转换元件中的PN结更深的位置。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||