| 发明名称 | 栅氧化层的工艺方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种栅氧化层的工艺方法，包含：第一步，炉管中通入氧气，进行栅氧化层热生长；第二步，在含氧氛围下，温度1050℃时进行第一次退火；第三步，在含氮氛围下，温度1050℃时进行第二次退火。本发明采用了含氧氛围和含氮氛围先后分步退火的工艺来改善栅氧化层的性能，降低器件的漏电流。 | ||
| 申请公布号 | CN104465355A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410837551.3 | 申请日期 | 2014.12.24 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 冯岩;柯行飞 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种栅氧化层的工艺方法，其特征在于，包含如下步骤：第一步，炉管中通入氧气，进行栅氧化层热生长；第二步，在含氧氛围下，温度1050℃时进行第一次退火；第三步，在含氮氛围下，温度1050℃时进行第二次退火。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||