一种LTPS像素单元及其制造方法

摘要

本发明公开了一种LTPS像素单元及其制造方法，该方法包括以下步骤：在基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成半导体图案和公共电极图案；在半导体图案上依次形成第一绝缘层、栅极图案和第二绝缘层；在第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案，源极图案和漏极图案经第一绝缘层和第二绝缘层上的接触孔与半导体图案电连接；在第二绝缘层上形成像素电极图案，像素电极图案与源极图案或漏极图案电连接。由此，可以节省成本，并提高制程良率。

主权项

一种LTPS像素单元的制造方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：提供一基板；在所述基板上形成缓冲层；在缓冲层上形成间隔设置的半导体图案和公共电极图案；在所述半导体图案上依次形成第一绝缘层、栅极图案和第二绝缘层，其中，所述栅极图案位于所述半导体图案的正上方，所述第一绝缘层和第二绝缘层进一步覆盖所述公共电极图案；在所述第二绝缘层上形成源极图案和漏极图案，所述源极图案和所述漏极图案分别经所述第一绝缘层和第二绝缘层上的第一接触孔与所述半导体图案电连接；在所述第二绝缘层上形成像素电极图案，其中所述像素电极图案与所述源极图案或漏极图案电连接。