基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法

摘要

基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器及其制作方法，属于光电半导体技术领域，为了解决半导体激光器单元器件不能很好的兼顾高输出功率和高光束质量的缺点，该激光器是在n型衬底上用金属有机化学气相沉积方法依次生长n型缓冲层、n型包层、下波导层、量子阱、上波导层、p型包层和p型盖层，其还包括三个激光器，该三个激光器与一矩形波导相连接，其中，两平行且有一定间距的激光器与矩形波导左侧连接，另一激光器与矩形波导右侧连接；一矩形波导，该矩形波导与三个激光器相互连接；所述的三个激光器和矩形波导均是在p型盖层上向下刻蚀至p型包层形成的；一Y波导二维光子晶体，该光子晶体位于矩形波导上。

主权项

基于光子晶体Y波导的片上集成合束激光器，其包括：一n型衬底；一n型缓冲层，该n型缓冲层生长在n型衬底上；一n型包层，该n型包层生长在n型缓冲层上；一下波导层，该下波导层生长在n型包层上；一量子阱，该量子阱生长在下波导层上；一上波导层，该上波导层生长在量子阱上；一p型包层，该p型包层生长在上波导层上；一p型盖层，该p型盖层生长在p型包层上；其特征是，其还包括三个激光器，该三个激光器与一矩形波导相连接，其中，两平行且有一定间距的激光器与矩形波导左侧连接，另一激光器与矩形波导右侧连接；一矩形波导，该矩形波导与三个激光器相互连接；所述的三个激光器和矩形波导均是在p型盖层上向下刻蚀至p型包层形成的；一Y波导二维光子晶体，该光子晶体位于矩形波导上。