| 发明名称 | 一种多层压敏电阻器及其制备方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种多层压敏电阻器及其制备方法，多层压敏电阻器包括压敏电阻体，以及瓷体内的内电极，所述的压敏电阻体是由ZnO-Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>-SiO<sub>2</sub>-SnO<sub>2</sub>系瓷料体系组成，所述的内电极是纯Ag电极。该压敏电阻器的电性能好，生产成本低。 | ||
| 申请公布号 | CN102709010B | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201210188114.4 | 申请日期 | 2012.06.08 |
| 申请人 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 发明人 | 唐斌;陈加旺;李强;岑权进;陈加增;莫德峰 |
| 分类号 | H01C7/10(2006.01)I;H01C7/112(2006.01)I;H01C17/00(2006.01)I;C04B35/453(2006.01)I | 主分类号 | H01C7/10(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州粤高专利商标代理有限公司 44102 | 代理人 | 罗晓林 |
| 主权项 | 一种多层压敏电阻器，包括压敏电阻体，以及瓷体内的内电极，其特征在于：所述的压敏电阻体是由ZnO‑Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiO<sub>2</sub>‑SnO<sub>2</sub>系瓷料体系组成，所述的内电极是纯Ag电极；所述的ZnO‑Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>‑SiO<sub>2</sub>‑SnO<sub>2</sub>系瓷料体系,其具体摩尔配方组份为，ZnO 87.5～92.8mol％、Bi<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5～3.0mol％、SiO<sub>2</sub>0.5～2.5mol％、SnO<sub>2</sub>0.5～2.0mol％、Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.5～2.0mol％、TiO<sub>2</sub>0.5～2.5mol％、Co<sub>3</sub>O<sub>4</sub>0.3～1.0mol％、MnCO<sub>3</sub>0.5～1.0mol％、Cr<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.2～0.5mol％、Nd<sub>2</sub>O<sub>3</sub>0.01～0.1mol％、Al(NO<sub>3</sub>)<sub>3</sub>.9H<sub>2</sub>O 0.003～0.01mol％。 | ||
| 地址 | 526020 广东省肇庆市风华路18号风华电子工业城 | ||