发明名称 一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法
摘要 本发明公开了一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法。其工艺步骤为:①采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜,并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理;②将集成在磁控溅射仪上的激光刻蚀机与溅射台上的基片进行定位,并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上;③通过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件,并设置激光参数和运动参数;④启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀。本发明使薄膜在磁控溅射制备完成后即可在基片台上实现图案化,无需取出,具有工艺简单、易于工业化的特点,特别适合于制作各种多层薄膜元器件。
申请公布号 CN104465462A 申请公布日期 2015.03.25
申请号 CN201410781212.8 申请日期 2014.12.16
申请人 桂林电子科技大学 发明人 徐华蕊;朱归胜;颜东亮
分类号 H01L21/67(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I;B23K26/364(2014.01)I 主分类号 H01L21/67(2006.01)I
代理机构 广西南宁汇博专利代理有限公司 45114 代理人 邹超贤
主权项 一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的方法,其特征在于:采用磁控溅射在基片上制备金属薄膜或无机非金属氧化物薄膜,并依据材料种类和工艺需要在薄膜制备过程中决定是否采用激光对薄膜进行加热处理,再集成在磁控溅射仪上的激光与溅射台上的基片进行定位,并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上,过计算机设计好刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件,并设置激光参数和运动参数,动激光刻蚀机,激光束对薄膜进行图案化刻蚀得到薄膜图案,工艺操作步骤为:(1)在磁控溅射仪上安装靶材和基片;(2)将磁控溅射仪抽真空,调节并设定相应的溅射工艺参数;(3)薄膜沉积,并依据材料种类和工艺要求决定是否在薄膜沉积金属或无机非金属氧化物的过程中采用脉冲激光束对基片进行加热处理; (4)薄膜沉积完成后,将集成在磁控溅射仪上的激光与溅射台上的基片进行定位,并调节激光刻蚀机使激光焦点落在薄膜的正表面上;(5)将计算机设计好的刻蚀图形输入或导入激光刻蚀软件,并设置激光参数和运动参数;(6)启动激光刻蚀对薄膜进行图案化刻蚀得到薄膜图案;(7)如涉及多层薄膜的图案化可根据需要重复上述全部或个别步骤得到薄膜图案。
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