一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法

摘要

本发明公开了一种快恢复二极管的结构和背面的制备方法，器件的有源区的单元结构包括以下特征：含有至少一个沟槽，沟槽与沟槽之间有部份区域为p型区，有部份区域为n型区，沟槽与沟槽之间的表面有部份为p型区的表面，有部份区域为薄层p+区，沟槽与沟槽之间的表面有接触孔，接触孔把表面的p型区和薄层p+区连接至表面电极，沟槽也被连接至表面电极；背面制备方法包括在硅片的背面注入氢离子，然后用溅射或沉积方法来进行背面金属化，接着用退火激活之前注入的氢离子。

主权项

一种快恢复二极管的背面的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： (i)在完成磨薄工艺后的FZn型硅片的背面，用离子注入法，注入氢离子，把硅片相对离子的注入方向倾斜小于10度，注入剂量范围为1×10¹⁴/cm³至1×10¹⁶/cm³，注入能量为20KeV至100V； (ii)然后用溅射或沉积方法来进行背面金属化，金属层可为铝/镍/银或钛/镍/银或其它； (iii)对之前注入的氢离子，需要退火激活，典型的退火条件是在温度范围为300℃至450℃，退火30分钟至100分钟，退火步骤可以在形成背面电极之前，或之后或在形成背面电极步骤当中进行。