一种在单层石墨烯膜上可控生长纳米结构的普适方法

摘要

本发明涉及一种在单层石墨烯膜上可控生长纳米结构的普适方法。本发明铜箔上生长单层石墨烯薄膜：首先选取铜箔在氩气和氢气混合气氛下于高温下退火，然后通入甲烷生长，最后关闭氢气和甲烷并在氩气气氛下冷却至室温，臭氧处理石墨烯：通过改变处理时间控制臭氧对样品处理的程度，沉积贵金属纳米结构：将臭氧处理过的石墨烯/铜箔衬底浸泡到硝酸银水溶液中，沉积不同时间，得到产物。本发明克服了物理方法制备工艺比较繁琐、昂贵的设备、高成本及化学方法石墨烯碳平面上的形核只发生在缺陷处等缺陷。本发明解决石墨烯基复合材料化学合成不形核问题，工艺简单、合成量大、绿色环保、成本低廉、制备过程可控且易于大量合成等优点。

主权项

一种在单层石墨烯膜上可控生长纳米结构的普适方法，其特征在于步骤如下：(1)铜箔上生长单层石墨烯薄膜：首先选取铜箔在氩气和氢气混合气氛下于高温下退火；然后通入甲烷生长；最后关闭氢气和甲烷并在氩气气氛下冷却至室温；(2)臭氧处理石墨烯：通过改变处理时间控制臭氧对样品处理的程度；(3)沉积贵金属纳米结构：将臭氧处理过的石墨烯/铜箔衬底浸泡到硝酸银水溶液中，沉积不同时间，得到产物。