| 发明名称 | 磁导率传感器 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种结构小型且简单却能够高精度检测被检测物的磁导率变化的磁导率传感器。磁导率传感器包括：第一线圈1和第二线圈2；包含第一线圈1并发生振荡的第一振荡电路6；包含第二线圈2并发生振荡的第二振荡电路7；分别测量第一振荡电路6和第二振荡电路7中的振荡频率的测量部41；计算测量部41所测量的振荡频率的差的计算部42；以及将计算部42计算出的差变换为磁导率的变换部43。 | ||
| 申请公布号 | CN204228660U | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201420593694.X | 申请日期 | 2014.10.14 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | 发明人 | 大隅和彦;丸山雄三;下江治 |
| 分类号 | G01N27/72(2006.01)I;G01R33/12(2006.01)I;G01R15/08(2006.01)I | 主分类号 | G01N27/72(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 | 代理人 | 聂宁乐 |
| 主权项 | 一种磁导率传感器，其检测被检测物的磁导率，包括：第一振荡电路，包含从所述被检测物受磁的第一线圈并发生振荡；第二振荡电路，包含从所述被检测物受磁的第二线圈并发生振荡；测量部，分别测量所述第一振荡电路和所述第二振荡电路中的振荡频率；计算部，计算所述测量部所测量的振荡频率的差；变换部，将所述计算部计算出的差变换为磁导率。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||