| 发明名称 | 钝化层形成用组合物、带钝化层的半导体基板及其制造方法、太阳能电池元件及其制造方法、以及太阳能电池 | ||
| 摘要 | 本发明的钝化层形成用组合物包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物。在下述通式(I)中，R<sup>1</sup>分别独立地表示碳数1～8的烷基；n表示0～3的整数；X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>分别独立地表示氧原子或亚甲基；R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。<img file="DDA0000654186440000011.GIF" wi="702" he="511" /> | ||
| 申请公布号 | CN104471715A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201380036883.5 | 申请日期 | 2013.07.12 |
| 申请人 | 日立化成株式会社 | 发明人 | 足立修一郎;吉田诚人;野尻刚;仓田靖;田中彻;织田明博;早坂刚 |
| 分类号 | H01L31/0216(2014.01)I;H01L31/068(2012.01)I;H01L31/0224(2006.01)I;H01L31/18(2006.01)I | 主分类号 | H01L31/0216(2014.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 蒋亭 |
| 主权项 | 一种钝化层形成用组合物，其包含下述通式(I)所示的有机铝化合物和选自烷醇钛、烷醇锆及烷醇硅中的至少一种烷醇盐化合物，<img file="FDA0000654186410000011.GIF" wi="861" he="620" />通式(I)中，R<sup>1</sup>分别独立地表示碳数1～8的烷基，n表示0～3的整数，X<sup>2</sup>及X<sup>3</sup>分别独立地表示氧原子或亚甲基，R<sup>2</sup>、R<sup>3</sup>及R<sup>4</sup>分别独立地表示氢原子或碳数1～8的烷基。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||