P型鳍式场效应晶体管的形成方法

摘要

一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。在湿法刻蚀硅层形成硅线过程中，整个硅层完全浸入刻蚀剂中，刻蚀剂只在垂直于硅层上表面方向上刻蚀硅层。这样，形成的硅线侧壁非常光滑，线宽在其高度方向上体现一致性。在以该硅线为掩模，刻蚀锗硅基底形成的鳍部侧壁也非常光滑，硅线的线宽传递至鳍部，鳍部的线宽可以准确定位，在鳍部高度方向上体现一致性。

主权项

一种P型鳍式场效应晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供锗硅基底；在所述锗硅基底上形成硅层，所述硅层侧面为（111）晶面；湿法刻蚀所述硅层形成硅线，所述湿法刻蚀硅层为沿垂直于所述硅层上表面方向刻蚀所述硅层，所述硅线定义鳍部的位置；以所述硅线为掩模，刻蚀所述锗硅基底形成鳍部；去除所述硅线。