半导体测试结构

摘要

一种半导体测试结构，包括：衬底，位于衬底上的若干个MOS晶体管和若干个测试焊盘；所述MOS晶体管的第一电极、第二电极和第三电极与测试焊盘电学连接，一个测试焊盘至少与一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极电学连接，且一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极连接的测试焊盘与其他任意一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极电学连接的测试焊盘最多只有一个共用。利用所述半导体测试结构可以在不增加测试焊盘的情况下大幅提高待测试MOS晶体管的数量，从而有利于提高晶片利用率，且测试结果准确。

主权项

一种半导体测试结构，其特征在于，包括：衬底，位于衬底上的若干个MOS晶体管和若干个测试焊盘；所述MOS晶体管包括位于衬底表面的栅极和位于栅极两侧的衬底内的源极和漏极，将所述MOS晶体管的栅极、源极和漏极的其中一个作为第一电极，另外两个作为第二电极和第三电极；所述MOS晶体管的第一电极、第二电极和第三电极与测试焊盘电学连接，一个测试焊盘至少与一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极电学连接，且一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极连接的测试焊盘，与其他任意一个MOS晶体管的第一电极、第二电极或第三电极电学连接的测试焊盘，所述两者的测试焊盘最多只有一个共用。