发明名称 |
一种电致红外发光器件及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种电致红外发光器件,包括P型硅衬底、自下而上依次沉积在P型硅衬底正面的发光层和透明电极层、以及沉积在P型硅衬底背面的欧姆接触电极,所述的发光层为掺铒的氧化锌膜。本发明还提供了一种制备上述电致红外发光器件的制备方法。本发明的电致红外发光器件结构简单,制造方便,该发光器件在较低的正向直流偏压下会在红外光区域发光,发光波长为铒离子的约1540nm的特征发光尖峰;且发光强度随着注入电流的增大而增加,可根据实际需要调整注入适当的电流,以得到适当的发光强度。 |
申请公布号 |
CN102800780B |
申请公布日期 |
2015.03.25 |
申请号 |
CN201210273438.8 |
申请日期 |
2012.08.02 |
申请人 |
浙江大学 |
发明人 |
马向阳;杨扬;杨德仁 |
分类号 |
H01L33/42(2010.01)I;H01L33/38(2010.01)I;H01L33/00(2010.01)I |
主分类号 |
H01L33/42(2010.01)I |
代理机构 |
杭州天勤知识产权代理有限公司 33224 |
代理人 |
胡红娟 |
主权项 |
一种电致红外发光器件,包括P型硅衬底(1)、自下而上依次沉积在P型硅衬底(1)正面的发光层(2)和电极层(3)、以及沉积在P型硅衬底(1)背面的欧姆接触电极(4),其特征在于,所述的发光层(2)为掺铒的氧化锌膜;所述的电极层(3)的厚度为120~180nm;所述的欧姆接触电极为金膜;所述的欧姆接触电极的厚度为100~200nm;P型硅衬底的厚度为600~700微米,电阻率为0.001~0.01欧姆·厘米;所述的掺铒的氧化锌膜的厚度为100~200nm;所述的掺铒的氧化锌膜的制备方法为:(1)利用磁控溅射法沉积掺铒的氧化锌初始膜;(2)将制备得到掺铒的氧化锌初始膜在氧气氛围中、700~750℃条件下热处理2~5小时,得到掺铒的氧化锌膜;所述的掺铒的氧化锌膜中铒的掺入量以原子比计为1‑2%。 |
地址 |
310027 浙江省杭州市西湖区浙大路38号 |