| 发明名称 | 低温下立方和六方InN及其与AlN的合金的等离子体辅助原子层外延 | ||
| 摘要 | 本发明描述了生长氮化铟(InN)材料的方法，其通过在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN。还描述了一种材料，其包含具有NaCl型晶相的面心立方晶格晶体结构的InN。 | ||
| 申请公布号 | CN104471676A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201380032385.3 | 申请日期 | 2013.06.13 |
| 申请人 | 美国海军部政府代表 | 发明人 | 倪瑞·尼泊尔;查尔斯·R·埃迪;纳迪姆拉·A·马哈迪克;赛义德·B·卡德里;迈克尔·J·梅尔 |
| 分类号 | H01L21/20(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/20(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人 | 谢顺星;刘成春 |
| 主权项 | 生长氮化铟(InN)材料的方法，包括在低于300℃的温度下使用脉冲生长方法生长六方和/或立方InN。 | ||
| 地址 | 美国华盛顿 | ||