一种高K介质埋层的绝缘体上材料制备方法

摘要

本发明公开了一种高K介质埋层的绝缘体上材料的制备方法，通过在沉积态的高K介质材料上沉积金属材料并结合退火工艺，使高K介质材料的微观结构由沉积态转变为单晶，从而使高K介质材料有了更好的取向，并通过选择性腐蚀的方法彻底去除不需要的金属材料，沉积半导体材料，最终可得到高质量的绝缘体上材料。采用本发明方法所形成的绝缘体上材料,由于具有高质量的超薄高K介质材料作为埋层,可以更好的控制器件的短沟道效应，为下一代的CMOS器件提供候选的衬底材料。

主权项

一种高K介质埋层的绝缘体上材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一、提供一层衬底，在所述衬底上沉积一层多晶或非晶的高K介质材料；步骤二、在所述高K介质材料上沉积一层金属材料；步骤三、进行退火工艺，使所述高K介质材料的微观结构由沉积态转变为单晶形态；步骤四、采用选择性腐蚀方法去除所述金属材料；步骤五、在去除所述金属材料的高K介质材料表面沉积半导体材料，从而形成以高K介质材料为埋层的绝缘体上材料。