| 发明名称 | 一种沟槽功率MOSFET器件及其制作方法和静电保护结构 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围的栅极引出端设置区域中，其中一部分区域设置了栅极引出端，另一部分区域设置了若干个静电保护引出端，该静电保护引出端包括至少一对PN结，PN结两端分别与沟槽功率MOSFET器件的源极和栅极连接。另外本发明还公开了带上述静电保护结构的功率MOSFET器件以及制作方法，该静电保护结构无需在沟槽功率MOSFET器件上额外规划出ESD区域，节省了沟槽功率MOSFET器件的面积，降低了成本，制作方法流程简单，节省光刻次数，降低成本，ESD能力可灵活调节。 | ||
| 申请公布号 | CN104465628A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410763514.2 | 申请日期 | 2014.12.11 |
| 申请人 | 张家港凯思半导体有限公司 | 发明人 | 丁磊;殷允超 |
| 分类号 | H01L23/60(2006.01)I;H01L27/02(2006.01)I;H01L27/04(2006.01)I;H01L21/77(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/60(2006.01)I |
| 代理机构 | 张家港市高松专利事务所(普通合伙) 32209 | 代理人 | 陈晓岷 |
| 主权项 | 一种沟槽功率MOSFET器件的静电保护结构，其特征在于：所述沟槽功率MOSFET器件的有源区外围的栅极引出端设置区域中，其中一部分区域设置了栅极引出端，另一部分区域设置了若干个静电保护引出端，该静电保护引出端包括至少一对PN结，PN结两端分别与沟槽功率MOSFET器件的源极和栅极连接。 | ||
| 地址 | 215612 江苏省苏州市张家港市凤凰镇双龙村张家港凯思半导体有限公司 | ||