金属氧化物蚀刻液组合物及蚀刻方法

摘要

本发明提供用于对作为半导体元件和平板显示器(FPD)等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其中，可控制为具实用性的蚀刻速度，且Zn的溶解性高，使用中的组成变化少，因此可使蚀刻液的使用寿命长。可对作为半导体元件和FPD等电子器件的氧化物半导体或透明电极使用的含In的金属氧化物及含Zn和In的金属氧化物进行微细加工，包含至少1种除氢卤酸和高卤酸等以外的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKa_n在2.15以下的酸和水，25℃的氢离子浓度pH在4以下的蚀刻液组合物及使用该蚀刻液组合物的蚀刻方法。

主权项

蚀刻液组合物，它是用于对含铟(In)的金属氧化物及含锌(Zn)和In的金属氧化物进行蚀刻的蚀刻液组合物，其特征在于，包含至少1种酸和水，酸的某一解离阶段的25℃的酸解离常数pKa在2.15以下，25℃的氢离子浓度pH在4以下；其中，在包含氢卤酸、高卤酸、KNO₃、CH₃COOK、KHSO₄、KH₂PO₄、K₂SO₄、K₂HPO₄或K₃PO₄的蚀刻液组合物和酸为乙二酸的情况下，不包括包含选自下组的聚磺酸化合物、聚氧乙烯‑聚氧丙烯嵌段共聚物、萘磺酸缩合物、氢氧化季铵类、碱金属类的氢氧化物、除三乙醇胺外的烷醇胺类、羟胺类、硫酸铵、氨基磺酸铵和硫代硫酸铵的至少1种化合物的蚀刻液组合物。