| 发明名称 | 一种基于焊锡熔接技术的三维电路层间连接方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种基于焊锡熔接技术的三维电路层间连接方法，属于先进三维封装领域。该方法包括：在电路基片上制作连接通孔；在通孔内壁上沉积与基片结合力强的合金，并在合金表面镀铜或金；以及将不同层电路基片以通孔孔位对准堆叠，在对准的通孔中灌入焊锡，利用焊锡和通孔金属之间的结合力实现不同层电路基片的连接固定。本方法利用焊锡和沉积在通孔内壁上的金属之间的结合力实现各种不同电路基片之间的相互连接固定，适用的频率范围广，不需要额外的粘接层，能很好的应用于高速数字及微波电路。 | ||
| 申请公布号 | CN104470262A | 申请公布日期 | 2015.03.25 |
| 申请号 | CN201410572999.7 | 申请日期 | 2014.10.24 |
| 申请人 | 成都博芯联科科技有限公司 | 发明人 | 黄绪国;顾杰斌 |
| 分类号 | H05K3/42(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I | 主分类号 | H05K3/42(2006.01)I |
| 代理机构 | 成都正华专利代理事务所(普通合伙) 51229 | 代理人 | 李林合 |
| 主权项 | 一种基于焊锡熔接技术的三维电路层间连接方法，其特征是，包括：在电路基片上制作连接通孔；在所述在通孔内壁上沉积与基片结合力强的合金，并在所述合金表面镀铜或金；以及将不同层电路基片以通孔孔位对准堆叠，在对准的通孔中灌入焊锡，利用焊锡和通孔金属之间的结合力实现不同层电路基片的连接固定。 | ||
| 地址 | 610041 四川省成都市高新区天府四街66号2栋12层3号 | ||