一种自适应的字线电压调节型SRAM结构

摘要

本发明是一种自适应的字线电压调节型SRAM结构，主要包括存储阵列SRAM模块、非易失性存储器NVM（NonvolatileMemory，NVM）模块、以及用于抬高读操作时字线WL的电压值的WLboost电路模块，所述SRAM模块分成多个用于存储数据的Sub-block子块，每个Sub-block子块上分别设有一个WLboost电路模块，所有的Sub-block子块共用一个NVM模块，每个Sub-block子块分别与存储在NVM模块中的一段代码对应，所述WLboost电路模块通过NVM模块中存储的各个Sub-block子块对应的的代码来选择字线WL电压的抬高值。采用本发明技术方案，通过改变字线WL电压的抬高值来减小tailbit出现的概率，提高SRAM的良率，并且调节范围大，调节方便，能耗低。

主权项

一种自适应的字线电压调节型SRAM结构，其特征在于，主要包括存储阵列SRAM模块、非易失性存储器NVM模块、以及用于抬高读操作时字线WL的电压值的WL boost电路模块，所述SRAM模块分成多个用于存储数据的Sub‑block子块，每个Sub‑block子块上分别设有一个WL boost电路模块，所有的Sub‑block子块共用一个NVM模块，每个Sub‑block子块分别与存储在NVM模块中的一段代码对应，所述WL boost电路模块通过NVM模块中存储的各个Sub‑block子块对应的的代码来选择字线WL电压的抬高值。