| 摘要 |
Винахід стосується технології отримання напівпровідникових матеріалів, зокрема полікристалічного AgSiSe. Спосіб отримання кристалічного аргіродиту AgSiSe, згідно з яким кварцову ампулу, завантажену шихтою елементарних компонент срібла, кремнію, селену напівпровідникової чистоти, взятих у стехіометричному співвідношенні, вакуумують до залишкового тиску (0,9-1,2)∙10тор, відпаюють та нагрівають. Нагрівання здійснюють так, щоб синтезувати бінарні сполуки AgSe і SіSe. Наступним нагріванням досягають температури початку реагування між бінарними сполуками AgSe і SiSeта синтезування аргіродиту AgSiSeі створюють умови для такого реагування. Спосіб дозволяє суттєво зменшити його енергозатратність та гарантує одержання сполуки стехіометричного складу. |
