| 摘要 |
高品質のＧａ2Ｏ3系半導体素子を提供する。一実施の形態として、α−Ａｌ2Ｏ3基板２上に直接、又は他の層を介して形成されたα−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶（０≦̸ｘ＜１）からなるｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３と、ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３上に形成されたソース電極１２及びドレイン電極１３と、ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３中に形成され、ソース電極１２及びドレイン電極１３にそれぞれ接続されたコンタクト領域１４、１５と、ｎ型α−（ＡｌxＧａ1-x）2Ｏ3単結晶膜３のコンタクト領域１４とコンタクト領域１５との間の領域上にゲート絶縁膜１６を介して形成されたゲート電極１１と、を含むＧａ2Ｏ3系ＭＩＳＦＥＴ１０を提供する。 |
