| 摘要 |
<p>本発明の解決課題は、ワイドギャップ半導体基板にテーパ状の凹部を形成することができるプラズマエッチング方法を提供することである。解決手段としては、ワイドギャップ半導体基板Ｋの表面に、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋよりもエッチング速度の大きな高速エッチング膜Ｅを形成させ、その上に開口部を有したマスクＭを形成する。そして、高速エッチング膜Ｅ及びマスクＭが形成されたワイドギャップ半導体基板Ｋを基台に載置し、当該ワイドギャップ半導体基板Ｋを２００℃以上に加熱した後、処理チャンバ内に供給されたエッチングガスをプラズマ化するとともに、基台にバイアス電位を与え、ワイドギャップ半導体基板Ｋをエッチングする。</p> |
