发明名称 光電変換素子及びその製造方法
摘要 <p>光電変換素子を、第1導電型無機半導体層(3)と、第1導電型無機半導体層の表面に部分的に設けられた貴金属膜(4)と、貴金属膜に接し、硫黄原子を含む第1導電型有機半導体ピラー(5)と、第1導電型無機半導体層に接し、硫黄原子を含まない第2導電型有機半導体ピラー(6)とを含む光電変換層(7)とを備えるものとする。</p>
申请公布号 JPWO2013035184(A1) 申请公布日期 2015.03.23
申请号 JP20130532369 申请日期 2011.09.08
申请人 发明人
分类号 H01L51/42 主分类号 H01L51/42
代理机构 代理人
主权项
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