发明名称 矽晶圆的制造方法
摘要
申请公布号 TWI478228 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW101104932 申请日期 2012.02.15
申请人 信越半导体股份有限公司 发明人 佐佐木拓也;桥本浩昌;佐藤一弥;佐藤步
分类号 H01L21/304 主分类号 H01L21/304
代理机构 代理人 蔡坤财 台北市中山区松江路148号11楼;李世章 台北市中山区松江路148号11楼
主权项 一种矽晶圆的制造方法,该方法是在根据化学气相成长法于原料矽晶圆的其中一面上成长出氧化膜后,研磨未成长出该氧化膜的一侧的上述原料矽晶圆的表面,而制造出具有镜面研磨面与氧化膜面的矽晶圆,其中该矽晶圆的制造方法的特征在于具有:对上述原料矽晶圆进行双面研磨的步骤,该进行双面研磨的步骤是在成长出上述氧化膜后,以下述的研磨布进行研磨:对上述氧化膜表面侧,使用一种在涂布胺基甲酸乙酯树脂后经过湿式凝固与发泡而成的仿麂皮系研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布,且这些研磨布的ASKER-C橡胶硬度在50°以上且未满90°;而对要研磨上述未成长出上述氧化膜的表面的一侧,使用胺基甲酸乙酯树脂单发泡体研磨布、或是将不织布含浸于胺基甲酸乙酯树脂中而成的丝绒系研磨布,且这些研磨布的ASKER-C橡胶硬度在90°以上。
地址 日本
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