发明名称 触媒组成物,使用触媒组成物之降冰片烯系共聚物之制造方法,及降冰片烯系共聚物,与使用该共聚物之耐热薄膜
摘要
申请公布号 TWI477523 申请公布日期 2015.03.21
申请号 TW100126784 申请日期 2011.07.28
申请人 昭和电工股份有限公司 发明人 会田昭二郎;塔迪夫 奥利维尔
分类号 C08F4/602;C08F4/70;C08F232/08;C08J5/18 主分类号 C08F4/602
代理机构 代理人 林志刚 台北市中山区南京东路2段125号7楼
主权项 一种触媒组成物,其为含有使用于具有极性基之降冰片烯系共聚合之主触媒(A)与助触媒(B)之触媒组成物中,主触媒(A)为一般式(1):MLnK1xK2yK3z…(1)(式中,M为由周期表第8属元素、第9属元素及第10属元素中所选出之1种过渡金属,L为含有环戊二烯环之环戊二烯基系配位基,K1、K2及K3为相互不同之由氢原子;氧原子;氟、氯、溴、碘之卤原子;碳数1至20之直链或具有支链的烷基;碳数6至20之芳基、烷基芳基或芳基烷基;羟基;碳数1至20之烷氧基;碳数1至20之具有烷基取代基的二烷基胺基或二芳基胺基;π-烯丙基;碳数3至20之取代烯丙基;乙醯丙酮酸酯基;碳数5至20之取代乙醯丙酮酸酯基;被烃基取代之矽烷基;矽取代之烃基;羧基所成群所选出之至少1种的阴性配位基或由氧分子;氮分子;羰基;乙烯;醚类;腈类;酯类;胺类;路易斯盐基;芳香族烃;环状不饱和烃所成群所选出之至少1种的中性配位基,n为0至2之整数,x为0至2之整数,y=0,z=0)所表示之错合物,助触媒(B)为与主触媒(A)反应可生成阳离子性过渡金属化合物之化合物(a)。
地址 日本