| 主权项 |
一种化学气相沈积方法，其包括：(a)在一反应腔室内于一载体上支撑一或多个基板，使得该等基板之表面在该腔室内面朝上，同时绕一垂直轴旋转该载体并使该等基板维持于一400℃或更高之基板温度；及(b)从设置于该等基板上方之一进口元件将包含一III族金属有机化合物及一V族氢化物之气体引导入该腔室，使得该III族金属有机化合物及该V族氢化物在该等基板之该等表面上方在自该进口元件向下延伸之气流区域中为实质上分离之流，而朝着该等基板向下流动，并接着在介于该气流区域及该基板间之边界区域中远离该轴向外流动，且发生反应而在该基板上形成III-V族化合物，以及该气体流进非再循环操作，该等气体在被引入该腔室时系处于一高于约75℃之进口温度下。
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