半导体发光装置及其制造方法

主权项

一半导体发光装置，包括：半导体层，其包括具有不平整之第一表面、相对于该第一表面之第二表面以及发光层，该半导体层含有氮化镓；p型电极，设置于该半导体层上；n型电极，设置于该半导体层上；透明树脂，设置于该半导体层之该第一表面上，该透明树脂可透光从该发光层所发出的光；无机膜，设置以符合该第一表面的不平整且与该第一表面接触，该无机膜设置与在该透明树脂和该第一表面之间的该透明树脂接触，该无机膜具有矽和氮之主成分及介于氮化镓的折射率和空气折射率之间的折射率，该无机膜的表面中亦形成有不平整。