Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung

摘要

Bereitgestellt wird ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung, aufweisend: der Reihe nach Bilden einer n-Typ-Epitaxieschicht, einer p-Typ-Epitaxieschicht und eines n+ Bereichs auf einer ersten Oberfläche eines n+ Typ-Siliziumcarbid-Substrats; Bilden einer Pufferschicht auf dem n+ Bereich; Bilden einer lichtempfindlichen Filmstruktur auf einem Teil der Pufferschicht; Ätzen der Pufferschicht unter Verwendung der lichtempfindlichen Filmstruktur als Maske, um eine Pufferschichtstruktur zu bilden; der Reihe nach Bilden einer ersten Metallschicht und einer zweiten Metallschicht, welche einen ersten Teilbereich und einen zweiten Teilbereich aufweisen; Entfernen einer oder mehrerer Bestandteile, um einen Teil des n+ Bereichs freizulegen; und Ätzen des freigelegten Teils des n+ Bereichs unter Verwendung des ersten Teilbereichs der ersten Metallschicht und des ersten Teilbereichs der zweiten Metallschicht als Masken, um einen Graben zu bilden.