发明名称 侧墙结构及其形成方法
摘要 本发明提出一种侧墙结构及其形成方法,在所述栅介质层和栅极的两侧形成多个组合侧墙,所述组合侧墙包括第一侧墙和第二侧墙;接着去除所述第二侧墙,使两个相邻的第一侧墙之间存在空隙,可以降低栅极与其他半导体器件或金属连接线之间的电容,从而提高半导体器件的反应速度,减少电压的损耗。
申请公布号 CN104425230A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201310407966.2 申请日期 2013.09.09
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 禹国宾
分类号 H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I 主分类号 H01L21/28(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种侧墙的形成方法,包括步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有栅介质层和栅极;在所述栅介质层和栅极的两侧形成至少一个组合侧墙,每一所述组合侧墙均包括一第一侧墙和一第二侧墙,所述第二侧墙位于所述第一侧墙之间;刻蚀去除所述第二侧墙,使所述第一侧墙之间出现空隙。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号