发明名称 |
侧墙结构及其形成方法 |
摘要 |
本发明提出一种侧墙结构及其形成方法,在所述栅介质层和栅极的两侧形成多个组合侧墙,所述组合侧墙包括第一侧墙和第二侧墙;接着去除所述第二侧墙,使两个相邻的第一侧墙之间存在空隙,可以降低栅极与其他半导体器件或金属连接线之间的电容,从而提高半导体器件的反应速度,减少电压的损耗。 |
申请公布号 |
CN104425230A |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201310407966.2 |
申请日期 |
2013.09.09 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 |
发明人 |
禹国宾 |
分类号 |
H01L21/28(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/28(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种侧墙的形成方法,包括步骤:提供半导体衬底,所述半导体衬底上依次形成有栅介质层和栅极;在所述栅介质层和栅极的两侧形成至少一个组合侧墙,每一所述组合侧墙均包括一第一侧墙和一第二侧墙,所述第二侧墙位于所述第一侧墙之间;刻蚀去除所述第二侧墙,使所述第一侧墙之间出现空隙。 |
地址 |
201203 上海市浦东新区张江路18号 |