发明名称 图案的形成方法
摘要 一种图案的形成方法,包括:提供待刻蚀层,待刻蚀层分为第一区和第二区;在待刻蚀层上形成位于第一区的第一牺牲线、位于第二区的第二牺牲线,在第一牺牲线和第二牺牲线上形成硬掩模层;在第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁形成侧墙;刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线;在刻蚀去除第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线后,以侧墙、第二牺牲线上的硬掩模层、第二牺牲线为掩模刻蚀待刻蚀层,位于第一区的侧墙下的剩余待刻蚀层作为第一线,位于第二区的侧墙下和侧墙之间的剩余待刻蚀层作为第二线。本发明的具有较小线宽的第一线和具有较大线宽的第二线均具有较精细的形貌。
申请公布号 CN104425220A 申请公布日期 2015.03.18
申请号 CN201310365626.8 申请日期 2013.08.20
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王冬江;张海洋
分类号 H01L21/033(2006.01)I;H01L21/28(2006.01)I 主分类号 H01L21/033(2006.01)I
代理机构 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人 骆苏华
主权项 一种图案的形成方法,其特征在于,包括:提供待刻蚀层,所述待刻蚀层分为第一区和第二区;在所述待刻蚀层上形成位于第一区的第一牺牲线、位于第二区的第二牺牲线,在所述第一牺牲线和第二牺牲线上形成有硬掩模层;在所述第一牺牲线和第一牺牲线上的硬掩模层侧壁、所述第二牺牲线和第二牺牲线上的硬掩模层侧壁形成侧墙;刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线;在刻蚀去除所述第一牺牲线上的硬掩模层和第一牺牲线后,以所述侧墙、第二牺牲线上的硬掩模层、第二牺牲线为掩模刻蚀所述待刻蚀层,位于所述第一区的侧墙下的剩余待刻蚀层作为第一线,位于所述第二区的侧墙下和侧墙之间的剩余待刻蚀层作为第二线。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号
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