| 发明名称 | 芯片失效分析方法及芯片失效分析标记 | ||
| 摘要 | 本发明揭示了一种芯片失效分析方法及芯片失效分析标记，包括：提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记；将所述待测芯片放置于FIB中，利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜，从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。这避免了利用FIB离子束挖洞之前可能出现的寻找不到特征点的情况，节省了操作时间，可靠性高，并且在SEM中能够达到30nm的精度，能够满足实际需求。 | ||
| 申请公布号 | CN104425297A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310365572.5 | 申请日期 | 2013.08.20 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 杨梅;殷原梓;文智慧;高保林;赵利利 |
| 分类号 | H01L21/66(2006.01)I;G01N21/88(2006.01)I;G01R31/311(2006.01)I;G01R31/28(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/66(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种芯片失效分析方法，包括：提供待测芯片，在SEM下将所述芯片的缺陷位置做第一标记；将所述待测芯片放置于FIB中，利用电子束照射所述第一标记以形成一氧化膜，从而形成在离子束下可识别的芯片失效分析标记。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||