| 发明名称 | 晶体管及晶体管的形成方法 | ||
| 摘要 | 一种晶体管及晶体管的形成方法，其中晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底内形成至少2个沟槽；在所述沟槽内形成填充所述沟槽的隔离层，且所述隔离层顶部低于半导体衬底表面；在高于隔离层顶部的半导体衬底侧壁和表面形成外延层，且所述外延层覆盖所述半导体衬底两侧的部分隔离层；在所述半导体衬底和外延层内形成阱区；在所述外延层表面形成栅极结构，所述栅极结构包括覆盖外延层表面的栅介质层及位于栅介质层顶部的栅导电层；在栅导电层两侧外延层内形成轻掺杂区；在所述轻掺杂区内形成重掺杂区，且轻掺杂区和隔离层将所述重掺杂区与阱区隔离。本发明形成的晶体管功耗低，运行速度快，沟道尺寸小，且可有效消除翘曲效应。 | ||
| 申请公布号 | CN104425604A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310398638.0 | 申请日期 | 2013.09.04 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 王海强;蒲贤勇;汪铭 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L27/088(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I;H01L21/8234(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人 | 骆苏华 |
| 主权项 | 一种晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底内形成至少2个沟槽；在所述沟槽内形成填充所述沟槽的隔离层，且所述隔离层顶部低于半导体衬底表面；在高于隔离层顶部的半导体衬底侧壁和表面形成外延层，且所述外延层覆盖所述半导体衬底两侧的部分隔离层；在所述半导体衬底及所述外延层内形成阱区；在所述外延层表面形成栅极结构，所述栅极结构包括覆盖外延层表面的栅介质层以及位于栅介质层顶部的栅导电层；在所述栅导电层两侧的外延层内形成轻掺杂区，所述轻掺杂区的掺杂类型与阱区相反；在所述轻掺杂区内形成重掺杂区，所述重掺杂区的掺杂类型与轻掺杂区相同，且所述轻掺杂区和所述隔离层将所述重掺杂区与阱区隔离。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||