| 发明名称 | 射频LDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本申请公开了一种射频LDMOS器件，包括漏区，在漏区之上具有栅氧化层，位于漏区正上方的栅氧化层被部分去除掉而形成一个窗口；在漏区和栅氧化层之上还具有多晶硅塞，多晶硅塞的一部分完全填充所述窗口而与漏区相接触，多晶硅塞的另一部分在栅氧化层之上；其特征是，所述漏区的掺杂浓度呈现为梯度变化；在垂直和水平方向上，越靠近多晶硅塞与漏区相接触的部位，漏区的掺杂浓度越高；反之亦然。本申请还公开了所述射频LDMOS器件的制造方法。本申请可以提高器件的击穿电压，改善软泄漏现象，并降低器件的输出电容。 | ||
| 申请公布号 | CN104425597A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310374024.9 | 申请日期 | 2013.08.23 |
| 申请人 | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 | 发明人 | 遇寒;李昊;周正良 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/08(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 殷晓雪 |
| 主权项 | 一种射频LDMOS器件，包括漏区，在漏区之上具有栅氧化层，位于漏区正上方的栅氧化层被部分去除掉而形成一个窗口；在漏区和栅氧化层之上还具有多晶硅塞，多晶硅塞的一部分完全填充所述窗口而与漏区相接触，多晶硅塞的另一部分在栅氧化层之上；其特征是，所述漏区的掺杂浓度呈现为台阶状的梯度变化；在垂直和水平方向上，越靠近多晶硅塞与漏区相接触的部位，漏区的掺杂浓度越高；反之亦然。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号 | ||