| 发明名称 | 虚拟结构和方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了虚拟结构和方法。制造半导体器件的方法包括：在基板上形成材料层；使用第一主图案来图案化第一半球区域；使用第二主图案来图案化第二半球区，其中，第一主图案与第二主图案不同。所述方法还包括在第一半球区域中引入第一虚拟图案，从而使得第一半球区域中第一主图案和第一虚拟图案的第一侧壁区表面密度与第二半球区中第二主图案的第二侧壁区表面密度基本相同。 | ||
| 申请公布号 | CN102779744B | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201210116984.0 | 申请日期 | 2012.04.19 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | 弗兰克·许布英格;科斯廷·肯默;斯特芬·罗滕哈伊泽尔 |
| 分类号 | H01L21/28(2006.01)I;H01L21/762(2006.01)I;H01L29/423(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/28(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京康信知识产权代理有限责任公司 11240 | 代理人 | 余刚;吴孟秋 |
| 主权项 | 一种用于制造半导体器件的方法，所述方法包括：在基板上形成材料层；使用第一主图案来图案化第一半球区域；使用第二主图案来图案化第二半球区域，其中，所述第一主图案与所述第二主图案不同；以及在所述第一半球区域中引入第一虚拟图案，在所述第二半球区域中引入第二虚拟图案，从而使得所述第二主图案和所述第二虚拟图案形成第二侧壁区表面密度，其中，所述第一半球区域中的所述第一主图案和所述第一虚拟图案的第一侧壁区表面密度在所述第二侧壁区表面密度的35％范围内。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格 | ||