| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种半导体器件及其制造方法，其中，所述半导体器件包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。在此，通过在功能器件和MIM电容器之间形成一屏蔽层，隔离所述功能器件与所述MIM电容器之间的相互干扰，由此既能够避免晶圆面积的浪费又能够使得可放置于MIM电容器下的功能器件不受限制。 | ||
| 申请公布号 | CN104425442A | 申请公布日期 | 2015.03.18 |
| 申请号 | CN201310407944.6 | 申请日期 | 2013.09.09 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 陈美丽 |
| 分类号 | H01L23/522(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L23/522(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种半导体器件，其特征在于，包括：半导体衬底；形成于所述半导体衬底上的功能器件；形成于所述功能器件上的MIM电容器；其中，在所述功能器件和所述MIM电容器之间形成有一屏蔽层。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||