发明名称 |
MEMS谐振器 |
摘要 |
本实用新型提供了一种MEMS谐振器,所述MEMS谐振器包括:锚部;围绕所述锚部,并且与所述锚部连接的质量块,所述质量块中开设有多个孔径;及围绕所述质量块,并且与所述质量块具有一定间隙的电极。在本实用新型提供的MEMS谐振器中,所述MEMS谐振器的频率可由质量块中开设的多个孔径予以改变。由此当需要不同频率的MEMS谐振器时,只需选取不同数量/大小的孔径即可,即通过改变MEMS谐振器的设计结构即可实现。相对于现有技术中,要得到不同频率的MEMS谐振器需要对MEMS谐振器的制造工艺做出改变而言,通过本实用新型的MEMS谐振器更加易于得到不同的频率。 |
申请公布号 |
CN204216861U |
申请公布日期 |
2015.03.18 |
申请号 |
CN201420148846.5 |
申请日期 |
2014.03.28 |
申请人 |
中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
发明人 |
何昭文 |
分类号 |
H03H9/24(2006.01)I |
主分类号 |
H03H9/24(2006.01)I |
代理机构 |
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 |
代理人 |
屈蘅;李时云 |
主权项 |
一种MEMS谐振器,其特征在于,包括:锚部;围绕所述锚部,并且与所述锚部连接的质量块,在所述质量块中与所述锚部连接的位置处开设有多个孔径,所述锚部、所述质量块以及所述孔径均为轴对称结构;及围绕所述质量块,并且与所述质量块具有一定间隙的电极。 |
地址 |
100176 北京市大兴区北京经济技术开发区(亦庄)文昌大道18号 |